MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 500 mΩ Miglioramento, 4.7 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF9Z14S-GE3

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Codice RS:
165-6090
Codice costruttore:
SIHF9Z14S-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiHF9Z14S

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

500mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

-5.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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