MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 6.1 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
228-2982
Codice costruttore:
SUM60061EL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

145nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P Vishay da 80 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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