MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SUM60020E-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

26,16 €

(IVA esclusa)

31,915 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 430 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 455,232 €26,16 €
50 - 1204,342 €21,71 €
125 - 2454,186 €20,93 €
250 - 4953,826 €19,13 €
500 +3,61 €18,05 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5107
Codice Distrelec:
304-38-856
Codice costruttore:
SUM60020E-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

SUM60020E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

151.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.41mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 80 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Temperatura massima di giunzione di 175 °C.

Qgd molto basso riduce la perdita di potenza dal passare attraverso Vplateau

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.