MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SUM60020E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5107
Codice costruttore:
SUM60020E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SUM60020E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

151.2nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.41mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-38-856

MOSFET a 80 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Temperatura massima di giunzione di 175 °C.

Qgd molto basso riduce la perdita di potenza dal passare attraverso Vplateau

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