MOSFET Vishay, canale N, 2,2 mΩ, 150 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 188-5088
- Codice costruttore:
- SUM40012EL-GE3
- Costruttore:
- Vishay
50 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Prezzo per 1pz in confezione da 5
2,054 €
(IVA esclusa)
2,506 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,054 € | 10,27 € |
| 50 - 120 | 1,746 € | 8,73 € |
| 125 - 245 | 1,642 € | 8,21 € |
| 250 - 495 | 1,542 € | 7,71 € |
| 500 + | 1,436 € | 7,18 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-5088
- Codice costruttore:
- SUM40012EL-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET a 40 V (D-S) a canale N.
MOSFET di potenza TrenchFET®
Temperatura massima di giunzione di 175 °C.
Eccellenti RDS-Qg e RDS-QOSS FOM riducono la perdita di potenza dalla conduzione e dalla commutazione per consentire un'elevata efficienza
Temperatura massima di giunzione di 175 °C.
Eccellenti RDS-Qg e RDS-QOSS FOM riducono la perdita di potenza dalla conduzione e dalla commutazione per consentire un'elevata efficienza
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 150 A |
| Tensione massima drain source | 40 V |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 2,2 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 150 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±20 V |
| Larghezza | 9.65mm |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Lunghezza | 10.41mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 130 nC a 10 V |
| Tensione diretta del diodo | 1.5V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 4.57mm |
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