MOSFET Vishay, canale N, 0,0035 Ω, 150 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 228-2985
Codice costruttore:: SUM70030M-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0035 Ω, 150 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 228-2985
Codice costruttore:: SUM70030M-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SUM70030M-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	150 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	0,0035 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si

MOSFET Vishay, canale N, 0,0035 Ω, 150 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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