MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ, 150 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 225-9969
- Codice costruttore:
- SUM70042E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 225-9969
- Codice costruttore:
- SUM70042E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 84nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.414 mm | |
| Altezza | 4.826mm | |
| Lunghezza | 15.875mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 84nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.414 mm | ||
Altezza 4.826mm | ||
Lunghezza 15.875mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.
MOSFET di potenza TrenchFET
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Qgd molto basso riduce la perdita di potenza dal passaggio attraverso V(plateau)
Testato al 100% Rg e UIS
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