MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

944,00 €

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Codice RS:
188-4926
Codice costruttore:
SUM40012EL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SUM40012EL

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

130nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.41mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 40 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Temperatura massima di giunzione di 175 °C.

Eccellenti RDS-Qg e RDS-QOSS FOM riducono la perdita di potenza dalla conduzione e dalla commutazione per consentire un'elevata efficienza

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