MOSFET Vishay, canale N 200 V, 11.4 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SUM90100E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2987
Codice costruttore:
SUM90100E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

800mV

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Vishay a canale N da 200 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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