MOSFET Vishay, canale N 200 V, 800 mΩ Miglioramento, 5.2 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF620S-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2629
Codice costruttore:
SIHF620S-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHF620S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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