MOSFET Vishay, canale N, 800 mΩ, 5,2 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 815-2629
Codice costruttore:: SIHF620S-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 800 mΩ, 5,2 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 815-2629
Codice costruttore:: SIHF620S-GE3
Costruttore:: Vishay

IRF620S, SiHF620S, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,2 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	800 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	50 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V
Lunghezza	10.67mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	9.65mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 800 mΩ, 5,2 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

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