MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 800 mΩ Miglioramento, 5.2 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF620S-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

11,35 €

(IVA esclusa)

13,85 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 10 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,135 €11,35 €
100 - 2401,068 €10,68 €
250 - 4900,965 €9,65 €
500 - 9900,907 €9,07 €
1000 +0,852 €8,52 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2629
Codice costruttore:
SIHF620S-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHF620S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.