MOSFET Vishay, canale Tipo P 200 V, 800 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF9630STRL-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2663
Codice costruttore:
SIHF9630STRL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHF9630S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione diretta Vf

-6.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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