Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 800 mΩ Miglioramento, 5.2 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 145-1709
Codice costruttore:: SIHF620S-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 800 mΩ Miglioramento, 5.2 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Unità	Per unità	Per Tubo*
50 - 50	0,571 €	28,55 €
100 - 200	0,536 €	26,80 €
250 - 450	0,485 €	24,25 €
500 - 1200	0,456 €	22,80 €
1250 +	0,428 €	21,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 145-1709
Codice costruttore:: SIHF620S-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	5.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	SiHF620S
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	800mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	50W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	4.83mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 5.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Tipo di package TO-263
	Serie SiHF620S
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 800mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 50W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 4.83mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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