MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 304 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB15N80AE-GE3

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Codice RS:
210-4969
Codice costruttore:
SIHB15N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

304mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.06mm

Lunghezza

14.61mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 13 A - SIHB15N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un interruttore a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo a montaggio superficiale. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per gestire tensioni elevate e carichi termici in sistemi elettronici impegnativi, soddisfacendo al contempo i requisiti ambientali RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 800 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 13 A supporta correnti di carico sostanziali
• L'Rds(on) di 304 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 156 W consente una gestione termica prolungata
• La carica di gate tipica di 35 nC favorisce una dimensionamento prevedibile del gate drive
• La tolleranza gate di 30 V consente tensioni di azionamento gate robuste

Applicazioni


• Utilizzato per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Adatto per le fasi di azionamento del motore industriale
• Ideale per gli interruttori primari di alimentazione a commutazione
• Può essere utilizzato per la saldatura o moduli di controllo dell'alimentazione al plasma
• Utilizzato con inverter ad alta tensione in apparecchiature industriali

Quale tipo di contenitore deve essere preso in considerazione per la gestione termica delle schede?


Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 che offre un percorso termico a basso profilo sul rame del circuito stampato per il dissipatore di calore.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?


Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alta temperatura.

Quali limitazioni del gate drive devono rispettare i progettisti?


Il gate non deve superare ±30 V rispetto alla sorgente per evitare danni all'ossido del gate e garantire una commutazione affidabile.

Quale caratteristica di conduzione in avanti è presente durante la conduzione del diodo corpo?


Il diodo intrinseco presenta una tensione diretta di circa 1,2 V quando conduce in condizioni di inversione di polarità.

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