MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 304 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
210-4969
Codice costruttore:
SIHB15N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

304mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

9.65mm

Lunghezza

14.61mm

Altezza

4.06mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 13 A - SIHB15N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza nell'elettronica industriale. È progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale in contenitori TO-263 e funziona in un'ampia gamma termica per applicazioni impegnative in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un montaggio compatto.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 13 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 304 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento • La carica di gate tipica di 35 nC consente un controllo di commutazione efficiente • L'azionamento gate massimo di 30 V accoglie le comuni tensioni di azionamento gate • La dissipazione di potenza di 156 W migliora la gestione termica sotto carico

Applicazioni


• Adatto per le fasi di azionamento dei motori ad alta tensione nei sistemi di automazione • Ideale per gli alimentatori che richiedono interruttori compatti a montaggio superficiale • Utilizzato per attività di commutazione di inverter e convertitori industriali • Può essere utilizzato per la protezione ad alta tensione e circuiti di serraggio

In quale intervallo di temperatura può funzionare?


Funziona da -55 °C fino a una temperatura di giunzione massima di 150 °C per ambienti ad alta temperatura.

Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?


È fornito in un contenitore TO-263 progettato per l'installazione a montaggio superficiale su schede.

Quali limitazioni dell'azionamento del gate devono essere rispettate dai progettisti?


Il dispositivo non deve superare una tensione da gate a sorgente di 30 V per evitare la sollecitazione del gate.

In che modo la sua dissipazione di potenza influisce sulla progettazione termica?


Il valore nominale di 156 W guida il dissipatore e l'allocazione del rame per circuito stampato per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti.

Quale configurazione dei pin è fornita?


Il componente offre una disposizione a tre pin compatibile con i layout MOSFET di potenza standard.

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