- Codice RS:
- 210-4970
- Codice costruttore:
- SIHB15N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per 1pz in confezione da 5
2,436 €
(IVA esclusa)
2,972 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
5 - 45 | 2,436 € | 12,18 € |
50 - 120 | 2,118 € | 10,59 € |
125 - 245 | 1,702 € | 8,51 € |
250 - 495 | 1,416 € | 7,08 € |
500 + | 1,12 € | 5,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 210-4970
- Codice costruttore:
- SIHB15N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore di tipo D2PAK (TO-263) con corrente di drain 13 A.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 13 A |
Tensione massima drain source | 800 V |
Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
Serie | E |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 0.304 Ω |
Tensione di soglia gate massima | 2 → 4V |
Numero di elementi per chip | 1 |
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