MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 304 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG15N80AE-GE3
- Codice RS:
- 210-4983
- Codice costruttore:
- SIHG15N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 210-4983
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- SIHG15N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 304mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 28.6mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 15.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 304mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 28.6mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 15.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione drain source 800 V, dissipazione di potenza massima 156 W - SIHG15N80AE-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per il montaggio a foro passante in ambienti di conversione di potenza e controllo industriale. Si tratta di un tipo di potenziamento a canale N realizzato per gestire potenziali di drenaggio-sorgente elevati mentre funziona in un'ampia gamma di temperature, il che lo rende adatto per condizioni termiche ed elettriche impegnative in cui è richiesta una robusta commutazione ad alta tensione.
Caratteristiche e vantaggi:
• Resistenza drain-source 800 V per capacità di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 13 A per una gestione del carico prolungata
• Rds(on) di 304 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione massima di 156 W per una maggiore potenza
• Carica gate tipica 35 nC per un controllo di commutazione efficiente
• Valore nominale gate di 30 V per la compatibilità con i circuiti driver comuni
• Corrente di drenaggio continua di 13 A per una gestione del carico prolungata
• Rds(on) di 304 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione massima di 156 W per una maggiore potenza
• Carica gate tipica 35 nC per un controllo di commutazione efficiente
• Valore nominale gate di 30 V per la compatibilità con i circuiti driver comuni
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter di potenza industriali
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Ideale per alimentatori a commutazione in ambienti industriali
• Può essere utilizzato per test ad alta tensione e circuiti di protezione
• Adatto per il robusto montaggio a foro passante nei pannelli di controllo
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Ideale per alimentatori a commutazione in ambienti industriali
• Può essere utilizzato per test ad alta tensione e circuiti di protezione
• Adatto per il robusto montaggio a foro passante nei pannelli di controllo
In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adatto per ambienti termici difficili.
Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza per l'assemblaggio?
Il dispositivo viene fornito in un contenitore TO-247AC configurato per il montaggio a foro passante.
In che modo la sua caratteristica di gate influisce sulle prestazioni di commutazione?
Con una carica di gate tipica di 35 nC, il dispositivo richiede un'energia di azionamento moderata, bilanciando la velocità di commutazione e le esigenze del driver.
Qual è il comportamento della tensione diretta durante la conduzione?
La tensione diretta è specificata a 1,2 V, il che indica la sua caduta di conduzione in condizioni di polarizzazione diretta.
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