MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 235 mΩ Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante
- Codice RS:
- 188-4989
- Codice Distrelec:
- 304-38-848
- Codice costruttore:
- SIHG21N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
10,13 €
(IVA esclusa)
12,358 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 44 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,065 € | 10,13 € |
| 20 - 48 | 4,56 € | 9,12 € |
| 50 - 98 | 4,315 € | 8,63 € |
| 100 - 198 | 4,055 € | 8,11 € |
| 200 + | 3,805 € | 7,61 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-4989
- Codice Distrelec:
- 304-38-848
- Codice costruttore:
- SIHG21N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 235mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 5.31mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 235mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 20.82mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 5.31mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio 17,4 A - SIHG21N80AE-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e conversione di potenza in ambienti industriali. Funziona in un'ampia gamma di temperature, supporta una notevole corrente continua ed è fornito in un contenitore TO-247AC a foro passante adatto per applicazioni che richiedono un montaggio robusto e un'interfaccia termica semplice.
Caratteristiche e vantaggi:
• capacità di blocco 800 V che consente la progettazione di sistemi ad alta tensione • corrente di drenaggio continua di 17,4 A per una gestione del carico sostanziale • Rds(on) 235 mΩ per ridurre le perdite di conduzione sotto carico • Carica gate tipica 48 nC per prestazioni di commutazione prevedibili • Capacità di dissipazione di potenza di 179 W per fasi di potenza impegnative • Valore nominale fino a 150 °C per il funzionamento a temperature elevate
Applicazioni
• Adatto per gli stadi degli inverter con azionamento a motore industriale • Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Utilizzato per i progetti di inverter a energia rinnovabile e ottimizzatori PV • Può essere utilizzato per l'elettronica di trazione e di potenza di utilità • Adatto per stadi semiconduttori hard-switched e soft-switched
Quali considerazioni di montaggio si applicano alla gestione termica?
Il formato a foro passante TO-247AC consente il fissaggio diretto ai dissipatori e l'uso efficace di tamponi isolanti o composti termici per trasferire la potenza dissipata al raffreddamento esterno.
In che modo la tensione nominale gate-source influisce sulla progettazione del gate drive?
Con una tolleranza massima gate-source di 30 V, i driver gate devono essere selezionati per funzionare all'interno di questa finestra e fornire un'azionamento sufficiente per ottenere la carica di gate specificata senza superare il limite di tensione.
Quali condizioni ambientali estreme può tollerare durante il funzionamento?
Il dispositivo è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in installazioni con ampie escursioni di temperatura ambiente e di giunzione.
Quale parametro elettrico determina le considerazioni sull'energia di commutazione?
La carica di gate tipica di 48 nC combinata con la resistenza di accensione e la tensione nominale del dispositivo determina principalmente le perdite di energia durante gli eventi di accensione e spegnimento.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 235 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 235 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 235 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHW21N80AE-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 304 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 250 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 0.483 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 205 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 205 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SIHB21N80AE-GE3