MOSFET Vishay, canale Canale N 800 V, 0.205 Ω Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB21N80AE-T5-GE3

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Codice RS:
735-129
Codice costruttore:
SIHB21N80AE-T5-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

17.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SIHB21N80AE

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.205Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.355mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

0.42mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET di potenza Vishay offre un'elevata efficienza e prestazioni robuste negli alimentatori, adatti per applicazioni impegnative in ambienti di server e telecomunicazioni. È progettato per ottimizzare la gestione dell'energia e ridurre al minimo le perdite.

Bassa capacità effettiva che contribuisce a tempi di risposta più rapidi

La configurazione unica semplifica la progettazione e l'integrazione

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