MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 235 mΩ Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

102,21 €

(IVA esclusa)

124,71 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 303,407 €102,21 €
60 - 1203,339 €100,17 €
150 +3,168 €95,04 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
188-4880
Codice costruttore:
SIHW21N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SiHW21N80AE

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

235mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

32W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.26mm

Altezza

21.46mm

Larghezza

5.31 mm

Standard automobilistico

No

Serie E MOSFET di potenza.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

Link consigliati