MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 205 mΩ Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB21N80AE-GE3

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Codice RS:
210-4977
Codice costruttore:
SIHB21N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

205mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

14.61mm

Altezza

4.06mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore del tipo D2PAK (TO-263) con corrente di drain di 17,4 A.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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