MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 205 mΩ Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB21N80AE-GE3

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Codice RS:
210-4977
Codice costruttore:
SIHB21N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

205mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

14.61mm

Altezza

4.06mm

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore del tipo D2PAK (TO-263) con corrente di drain di 17,4 A.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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