MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 235 mΩ Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SIHW21N80AE-GE3
- Codice RS:
- 188-5016
- Codice costruttore:
- SIHW21N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,185 € | 10,37 € |
| 20 - 48 | 4,66 € | 9,32 € |
| 50 - 98 | 4,415 € | 8,83 € |
| 100 - 198 | 4,16 € | 8,32 € |
| 200 + | 3,895 € | 7,79 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-5016
- Codice costruttore:
- SIHW21N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | SiHW21N80AE | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 235mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 32W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.31 mm | |
| Altezza | 21.46mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.26mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie SiHW21N80AE | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 235mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 32W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.31 mm | ||
Altezza 21.46mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.26mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Serie E MOSFET di potenza.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
APPLICAZIONI
Alimentatori per server e telecomunicazioni
Alimentatori modalità switching (SMPS)
Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori