MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 235 mΩ Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SIHW21N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5016
Codice costruttore:
SIHW21N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-247

Serie

SiHW21N80AE

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

235mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Dissipazione di potenza massima Pd

32W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.26mm

Altezza

21.46mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Serie E MOSFET di potenza.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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