MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 250 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante

Codice RS:: 210-4986
Codice costruttore:: SIHG17N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 250 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante

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Codice RS:: 210-4986
Codice costruttore:: SIHG17N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	15A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Serie	E
	Tipo di package	TO-247AC
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	250mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	179W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	41nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	35.3mm
	Altezza	4.83mm
	Larghezza	15.66mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 15A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Serie E
	Tipo di package TO-247AC
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 179W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 35.3mm
	Altezza 4.83mm
	Larghezza 15.66mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHG17N80AE-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua massima 15 A - SIHG17N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per il montaggio a foro passante nell'elettronica di potenza industriale. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N ed è progettato per le applicazioni che richiedono una tensione sostanziale e una corrente continua moderata, fornendo una robusta soluzione semiconduttore per la commutazione e la conversione di potenza.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione massima drain-source di 800 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 15 A supporta il carico sostenuto
• L'Rds(on) massimo di 250 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 179 W consente una gestione termica significativa
• La carica di gate tipica di 41 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il limite gate-sorgente 30 V consente tensioni gate-drive standard

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per gli stadi degli inverter industriali e le estremità frontali dell'azionamento del motore
• Utilizzato per circuiti di correzione del fattore di potenza nelle apparecchiature di rete
• Può essere utilizzato per convertitori ad alta tensione isolati
• Adatto per piattaforme di test da laboratorio che richiedono componenti a foro passante

Quale tipo di contenitore è fornito per la prototipazione e il dissipamento termico?

Il dispositivo è fornito in un contenitore a foro passante TO-247AC che facilita il montaggio e il fissaggio robusti dei dissipatori standard per la gestione termica.

Quale intervallo di temperatura di giunzione si può prevedere durante il funzionamento?

Il componente è classificato per funzionare fino a una temperatura massima di 150 °C con un limite minimo specificato di -55 °C per lo stoccaggio e il funzionamento a bassa temperatura.

In che modo la sua specifica di carica gate influisce sulla progettazione della commutazione?

Una carica gate tipica di 41 nC all'azionamento gate nominale consente ai progettisti di stimare l'energia dell'azionamento gate e selezionare i driver adatti per bilanciare la velocità di commutazione e le EMI.

Quali considerazioni sul montaggio e sul numero di pin si applicano al layout del circuito?

Il componente utilizza un formato a foro passante a tre pin, che consente un fissaggio sicuro della scheda e un collegamento semplice in layout di alimentazione convenzionali.