MOSFET Vishay, canale N, 0.25 Ω, 15 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 210-4971
- Codice costruttore:
- SIHB17N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
750 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
2,238 €
(IVA esclusa)
2,73 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 50 - 50 | 2,238 € | 111,90 € |
| 100 - 200 | 1,947 € | 97,35 € |
| 250 + | 1,656 € | 82,80 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 210-4971
- Codice costruttore:
- SIHB17N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore di tipo D2PAK (TO-263) con corrente di drain 15 A.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 15 A |
| Tensione massima drain source | 800 V |
| Serie | E |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 0.25 Ω |
| Tensione di soglia gate massima | 2 → 4V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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