MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 250 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB17N80AE-GE3

Codice RS:: 210-4971
Codice costruttore:: SIHB17N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 250 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB17N80AE-GE3

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Codice RS:: 210-4971
Codice costruttore:: SIHB17N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	15A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Serie	E
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	250mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	41nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	179W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	14.61mm
	Larghezza	9.65mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	4.06mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 15A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Serie E
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 179W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 14.61mm
	Larghezza 9.65mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 4.06mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 15 A - SIHB17N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per funzioni di commutazione e conversione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una commutazione robusta ad alta tensione, una gestione della corrente moderata e un contenitore SMD compatto.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione massima drain-source di 800 V che consente la commutazione ad alta tensione
• corrente di drenaggio continua di 15 A per una gestione del carico moderata
• L'Rds(on) di 250 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 179 W supporta il funzionamento ad alta potenza
• Carica gate tipica 41 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
• La tensione massima gate-source di 30 V garantisce un margine di azionamento gate

Applicazioni

• Adatto per la commutazione ad alta tensione sul lato primario SMPS
• Ideale per stadi di potenza industriali ad alta tensione
• Utilizzato con convertitori boost che richiedono dispositivi da 800 V
• Può essere utilizzato per la correzione del fattore di potenza frontali

Quali estremi termici può sopportare questo dispositivo durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampie variazioni di temperatura.

Quale contenitore e stile di montaggio è necessario pianificare sulla scheda?

Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale nelle aree di dissipazione del calore sulla scheda.

Quanti collegamenti elettrici presenta per considerazioni di layout?

Il componente è dotato di tre pin, corrispondenti alle terminazioni gate, drain e source per il routing del circuito stampato.

Che cos'è la modalità canale e come influisce sulla commutazione?

Il transistor è un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, che richiede un azionamento gate positivo rispetto alla sorgente per l'accensione.