MOSFET Vishay, canale Tipo P 200 V, 800 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

431,20 €

(IVA esclusa)

526,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 23 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 - 8000,539 €431,20 €
1600 +0,526 €420,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-6000
Codice costruttore:
SIHF9630STRL-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHF9630S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione diretta Vf

-6.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati