MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 235 mΩ Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG21N80AE-GE3

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Codice RS:
188-4876
Codice costruttore:
SIHG21N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

17.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

TO-247AC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

235mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.31mm

Lunghezza

15.87mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

20.82mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 17,4 A - SIHG21N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per ambienti industriali e di conversione di potenza. Funziona come un transistor in modalità di potenziamento in grado di gestire tensioni e correnti consistenti mentre viene montato a foro passante in un contenitore TO-247AC. Il dispositivo è adatto per i sistemi che richiedono una commutazione robusta dei semiconduttori in un ampio intervallo di temperatura ambiente.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 800 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• Il drenaggio continuo di 17,4 A supporta una corrente di carico significativa
• Rds(on) di 235 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza 179 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 48 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• Il valore nominale gate di 30 V consente tensioni di azionamento gate comuni

Applicazioni


• Adatto per alimentatori industriali ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione inverter e azionamento motore
• Utilizzato con topologie a commutazione rigida nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per amplificatori audio di classe D che richiedono alta tensione
• Adatto per l'elettronica di energia e di potenza rinnovabile

Quale intervallo di tensione dell'azionamento del gate è possibile utilizzare in modo sicuro?


Il dispositivo accetta una tensione massima da gate a sorgente di 30 V, pertanto i circuiti di azionamento del gate devono essere progettati per rimanere entro questo limite per evitare la sollecitazione del gate.

Come si comporta a temperature estreme?


Il transistor è progettato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in impianti industriali a temperatura elevata con una gestione termica adeguata.

Quali considerazioni di montaggio si applicano alla progettazione del circuito stampato?


Viene fornito in un contenitore TO-247AC a foro passante, pertanto i layout della scheda devono includere una giunzione dei fori adeguata e disposizioni di dissipazione del calore per l'ingombro del contenitore.

Quale comportamento di commutazione devo aspettarmi dalle caratteristiche del gate?


Con una carica gate totale tipica di 48 nC, i progettisti possono stimare l'energia di commutazione e selezionare i driver gate che bilanciano la velocità di commutazione e l'EMI per la loro topologia.

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