MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 0.483 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG11N80AEF-GE3

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Codice RS:
653-136
Codice costruttore:
SIHG11N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-247AC

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.483Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.25mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

20.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente drain 800 V, dissipazione di potenza 78 W - SIHG11N80AEF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per attività di potenza-elettronica in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un montaggio a foro passante. Funziona come transistor in modalità di miglioramento adatto per le applicazioni che richiedono un'elevata rottura drain-source e disposizioni di azionamento gate convenzionali. Il contenitore supporta l'assemblaggio filo-cavo ed è destinato all'integrazione di sistemi industriali ed elettronici.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta una portata di carico moderata • L'Rds(on) di 0,483 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • La carica del gate 41 nC riduce l'energia di commutazione e i requisiti di azionamento • La dissipazione di potenza di 78 W consente un carico termico sostenuto • L'azionamento del gate massimo di 30 V preserva l'integrità dell'isolamento del gate

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Ideale per gli stadi dell'inverter azionamento motore nei controlli industriali • Utilizzato per l'elettronica di potenza in modalità commutata e convertitori • Può essere utilizzato per PFC a media potenza e progetti di regolatori boost

Entro quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?


È specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, adattandosi ad ambienti con avviamento a freddo e a temperatura elevata.

Come viene montato il dispositivo in gruppi tipici?


È fornito in un contenitore TO-247AC a foro passante con tre pin per il fissaggio sicuro della scheda e il montaggio con dissipatore di calore.

Quali sono i vincoli del gate-drive che i progettisti devono rispettare?


La tensione da gate a sorgente non deve superare 30 V per evitare di danneggiare il dielettrico del gate.

Esistono considerazioni sulla manipolazione per la gestione termica?


La cifra di dissipazione di 78 W richiede pratiche di dissipazione del calore e interfaccia termica appropriate per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti specificati.

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