MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.072 Ω, 47 A 650 V, TO-247AC SIHG47N65E-GE3

Codice RS:: 180-7734
Codice costruttore:: SIHG47N65E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.072 Ω, 47 A 650 V, TO-247AC SIHG47N65E-GE3

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Codice RS:: 180-7734
Codice costruttore:: SIHG47N65E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	47A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	E
	Tipo di package	TO-247AC
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.072Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	417W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	273nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Configurazione transistor	Singolo
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 47A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie E
	Tipo di package TO-247AC
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.072Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 417W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 273nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Configurazione transistor Singolo
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET TO-247AC-3 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 650V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 72mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 417W e corrente di drain continua di 47A. Ha una tensione di pilotaggio di 10V. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità di ingresso • (Ciss)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• perdite di conduzione e commutazione ridotte

Carica di gate ultra bassa (Qg) •

Applications

• Caricabatterie

• illuminazione con resistenza fluorescente

• scarica ad alta intensità (HID)

• Azionamenti per motori

• alimentatori con correzione del fattore di potenza (PFC)

• Energia rinnovabile

• alimentatori per server e telecomunicazioni

• inverter fotovoltaici solari

• alimentatori switching (SMPS)

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS testato