MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.1 Ω Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG100N65E-GE3

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Codice RS:
735-208
Codice costruttore:
SIHG100N65E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E Series

Tipo di package

TO-247AC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

20.82mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

5.31mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL

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