MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG110N65SF-GE3

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Codice RS:
735-257
Codice costruttore:
SIHG110N65SF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247AC

Serie

SF Series

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.115Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

83nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

20.82mm

Altezza

5.31mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

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