MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, PG-TO-220 FullPAK, Foro passante SIHF110N65SF-GE3

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Codice RS:
735-256
Codice costruttore:
SIHF110N65SF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TO-220 FullPAK

Serie

SF Series

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.115Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

83nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.8mm

Lunghezza

15.97mm

Larghezza

10.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

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