MOSFET Infineon 650 V, 210 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, PG-TO-220, Foro passante IPAN60R210PFD7SXKSA1

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Codice RS:
273-7460
Codice costruttore:
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOSTMPFD7

Tipo di package

PG-TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon offre la rivoluzionaria tecnologia Cool MOS per i MOSFET di potenza ad alta tensione. È stato progettato secondo il principio di supergiunzione, sperimentato per la prima volta da Infineon Technologies. La nuova Cool MOS PFD7 è una piattaforma ottimizzata per applicazioni sensibili ai costi nei mercati consumer come caricabatterie, adattatori, motori, illuminazione, ecc. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a supergiunzione a commutazione rapida, insieme a un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e a un livello di facilità d'uso all'avanguardia. Questa tecnologia soddisfa i più alti standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di orientarsi verso progetti molto compatti.

Body diode veloce

Perdite estremamente ridotte

Basse perdite di commutazione Eoss

Eccellente comportamento termico

Eccellente robustezza di commutazione

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