MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 49 mΩ Miglioramento, 54 A, 8 Pin, PG-LHSOF-4, Superficie IMTA65R040M2HXTMA1

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Codice RS:
349-057
Codice costruttore:
IMTA65R040M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

PG-LHSOF-4

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

49mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Dissipazione di potenza massima Pd

242W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore e un'eccezionale facilità d'uso. Questo MOSFET consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rendendolo ideale per soddisfare le crescenti esigenze dei moderni sistemi e mercati di potenza. La sua tecnologia avanzata offre una soluzione potente per ottenere un'elevata efficienza del sistema in un'ampia gamma di applicazioni.

Perdite di commutazione bassissime

Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V

Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare

Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

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