MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 49 mΩ Miglioramento, 46 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IMZA65R040M2HXKSA1
- Codice RS:
- 349-337
- Codice costruttore:
- IMZA65R040M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-337
- Codice costruttore:
- IMZA65R040M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 46A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 49mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 172W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 46A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 49mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 172W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore e facilità d'uso. Questo MOSFET avanzato consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rispondendo alle esigenze sempre crescenti dei moderni sistemi e mercati di potenza. Il dispositivo offre una soluzione potente per ottenere un'efficienza di sistema superiore in varie applicazioni, garantendo prestazioni ottimali in ambienti difficili.
Perdite di commutazione bassissime
Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V
Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare
Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili
La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria
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