MOSFET Infineon, canale N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 83 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IMZA65R020M2HXKSA1

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Codice RS:
349-335
Codice costruttore:
IMZA65R020M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

83A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TO247-4

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57nC

Dissipazione di potenza massima Pd

273W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie CoolSiC, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 83 A - IMZA65R020M2HXKSA1


Questo MOSFET è un transistor di potenza in carburo di silicio progettato per la commutazione ad alta tensione nei sistemi di elettronica di potenza. Funziona come un dispositivo di potenziamento a canale N per la conversione e il controllo dell'energia elettrica nei casi in cui sono richieste efficienza e resistenza termica. Il componente è fornito in un contenitore PG-TO247-4 a foro passante progettato per un montaggio robusto e una dissipazione del calore in assemblaggi elettronici impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità di blocco a 650 V supporta i progetti ad alta tensione
• Il basso valore di Rds(on) di 24 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 83 A consente il funzionamento ad alta corrente
• La dissipazione di potenza di 273 W favorisce la gestione termica
• La carica di gate tipica di 57 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• L'intervallo di temperatura nominale da -55 °C a 175 °C estende l'intervallo di funzionamento

Applicazioni


• Adatto per azionamenti di motori industriali e inverter
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato con stadi di potenza a trazione o a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per la conversione CC-CC a commutazione rapida
• Adatto per sistemi a batteria che richiedono una gestione di corrente elevata

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?


Il dispositivo non deve essere azionato oltre una tensione massima da gate a sorgente di 23 V per evitare sovratensioni di gate.

In che modo il contenitore influisce sul routing termico su una scheda?


Il formato a foro passante PG-TO247-4 consente il fissaggio diretto del dissipatore e un semplice inserimento termico attraverso la scheda per una migliore dissipazione.

Quale comportamento di commutazione si può prevedere dal valore di carica del gate?


Una carica gate tipica di 57 nC indica requisiti energetici moderati per l'azionamento del gate, bilanciando la velocità di commutazione e le esigenze di corrente di azionamento.

Quale modalità di conduzione del canale si applica durante il funzionamento?


Il transistor funziona come un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, che richiede un azionamento gate positivo per condurre.

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