MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 83 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IMZA65R020M2HXKSA1
- Codice RS:
- 349-335
- Codice costruttore:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
19,83 €
(IVA esclusa)
24,19 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 240 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 19,83 € |
| 10 - 99 | 17,85 € |
| 100 + | 16,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-335
- Codice costruttore:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 83A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 57nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 273W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 83A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 57nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 273W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore e facilità d'uso. Questo MOSFET avanzato consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rispondendo alle esigenze sempre crescenti dei moderni sistemi e mercati di potenza. Il dispositivo offre una soluzione potente per ottenere un'efficienza di sistema superiore in varie applicazioni, garantendo prestazioni ottimali in ambienti difficili.
Perdite di commutazione bassissime
Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V
Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare
Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili
La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria