MOSFET Infineon, canale Tipo N, 163 A 750 V, PG-TO247-4, Superficie Miglioramento, 4 Pin IMZA75R008M1HXKSA1

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Codice RS:
351-992
Codice costruttore:
IMZA75R008M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

163A

Potenza di uscita

517W

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-TO247-4

Serie

IMZA75

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.9mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Il MOSFET automobilistico CoolSiC di Infineon è costruito con la tecnologia del carburo di silicio solido. Offre un vantaggio in termini di prestazioni, affidabilità e robustezza, con una flessibilità di gate driving che consente una progettazione semplificata ed economica del sistema per ottenere la massima efficienza e densità di potenza.

Efficienza superiore in caso di hard switching

Consente una frequenza di commutazione più elevata

Maggiore affidabilità

Robustezza contro il parassitismo

Guida unipolare

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