MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IMZA75R090M1HXKSA1

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Codice RS:
349-345
Codice costruttore:
IMZA75R090M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

PG-TO247-4

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

117mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

113W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il dispositivo di potenza G1 CoolSiC Infineon da 750 V si basa sulla tecnologia del carburo di silicio solido di Infineon, sviluppata da oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche uniche dei materiali SiC ad ampia banda interdetta, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. È stato progettato specificamente per le alte temperature e le condizioni operative difficili, consentendo l'implementazione semplificata e conveniente di sistemi con la massima efficienza. Questo MOSFET è perfetto per le applicazioni che richiedono prestazioni robuste e soluzioni ad alta efficienza energetica.

Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

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