MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 14.0 mΩ Miglioramento, 163 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Superficie AIMZA75R008M1HXKSA1
- Codice RS:
- 351-988
- Codice costruttore:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 351-988
- Codice costruttore:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 163A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Serie | AIMZA75 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14.0mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 178nC | |
| Tensione diretta Vf | 5.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 517W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC Q101 | |
| Lunghezza | 21.1mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Larghezza | 15.9 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 163A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Serie AIMZA75 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14.0mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 178nC | ||
Tensione diretta Vf 5.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 517W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC Q101 | ||
Lunghezza 21.1mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Larghezza 15.9 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- AT
Il MOSFET automobilistico CoolSiC di Infineon è costruito con la tecnologia del carburo di silicio solido. Offre un vantaggio in termini di prestazioni, affidabilità e robustezza, con una flessibilità di gate driving che consente una progettazione semplificata ed economica del sistema per ottenere la massima efficienza e densità di potenza.
Efficienza superiore in caso di hard switching
Consente una frequenza di commutazione più elevata
Maggiore affidabilità
Robustezza contro il parassitismo
Guida unipolare