MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 14.0 mΩ Miglioramento, 163 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Superficie AIMZA75R008M1HXKSA1

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Codice RS:
351-988
Codice costruttore:
AIMZA75R008M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

163A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-TO247-4

Serie

AIMZA75

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.0mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

5.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Dissipazione di potenza massima Pd

517W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

21.1mm

Standard/Approvazioni

AEC Q101

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET automobilistico CoolSiC di Infineon è costruito con la tecnologia del carburo di silicio solido. Offre un vantaggio in termini di prestazioni, affidabilità e robustezza, con una flessibilità di gate driving che consente una progettazione semplificata ed economica del sistema per ottenere la massima efficienza e densità di potenza.

Efficienza superiore in caso di hard switching

Consente una frequenza di commutazione più elevata

Maggiore affidabilità

Robustezza contro il parassitismo

Guida unipolare

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