MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 182 mΩ Miglioramento, 16 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R140M1HXKSA1

Codice RS:: 348-947
Codice costruttore:: AIMZA75R140M1HXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 182 mΩ Miglioramento, 16 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R140M1HXKSA1

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

11,32 €

(IVA esclusa)

13,82 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

240 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
2 - 18	5,66 €	11,32 €
20 - 198	5,09 €	10,18 €
200 +	4,69 €	9,38 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 348-947
Codice costruttore:: AIMZA75R140M1HXKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	750V
	Tipo di package	PG-TO247-4
	Serie	CoolSiC
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	182mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	86W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V
	Tipo di package PG-TO247-4
	Serie CoolSiC
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 182mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 86W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - AIMZA75R140M1HXKSA1

Paese di origine:: CN

Il MOSFET CoolSiC Infineon da 750 V è realizzato sulla base della tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche del materiale TiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.

Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice

Pin sorgente del driver disponibile

Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 182 mΩ Miglioramento, 16 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R140M1HXKSA1

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 182 mΩ Miglioramento, 16 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R140M1HXKSA1

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Prezzo per quantità

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!