MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 182 mΩ Miglioramento, 16 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R140M1HXKSA1
- Codice RS:
- 348-947
- Codice costruttore:
- AIMZA75R140M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,50 € | 13,00 € |
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| 200 + | 5,395 € | 10,79 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 348-947
- Codice costruttore:
- AIMZA75R140M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 182mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 86W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 182mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 86W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET CoolSiC Infineon da 750 V è realizzato sulla base della tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche del materiale TiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.
Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice
Pin sorgente del driver disponibile
Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V
Efficienza superiore in caso di hard switching
Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching
Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate
Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate