MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 22 mΩ Miglioramento, 89 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IMZA75R016M1HXKSA1
- Codice RS:
- 349-339
- Codice costruttore:
- IMZA75R016M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-339
- Codice costruttore:
- IMZA75R016M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 89A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 319W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 81nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 89A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 319W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 81nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il dispositivo di potenza G1 CoolSiC Infineon da 750 V si basa sulla tecnologia del carburo di silicio solido di Infineon, sviluppata da oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche uniche dei materiali SiC ad ampia banda interdetta, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. È stato progettato specificamente per le alte temperature e le condizioni operative difficili, consentendo l'implementazione semplificata e conveniente di sistemi con la massima efficienza. Questo MOSFET è perfetto per le applicazioni che richiedono prestazioni robuste e soluzioni ad alta efficienza energetica.
Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V
Efficienza superiore in caso di hard switching
Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching
Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate
Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate