MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 22 mΩ Miglioramento, 89 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R016M1HXKSA1
- Codice RS:
- 348-938
- Codice costruttore:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
29,86 €
(IVA esclusa)
36,43 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 240 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 29,86 € |
| 10 - 99 | 26,87 € |
| 100 + | 24,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 348-938
- Codice costruttore:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 89A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 81nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 319W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 89A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 81nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 319W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET CoolSiC Infineon da 750 V è realizzato sulla base della tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche del materiale TiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.
Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice
Pin sorgente del driver disponibile
Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V
Efficienza superiore in caso di hard switching
Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching
Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate
Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate