MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 52 mΩ Miglioramento, 44 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R040M1HXKSA1

Codice RS:: 348-943
Codice costruttore:: AIMZA75R040M1HXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 52 mΩ Miglioramento, 44 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R040M1HXKSA1

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

12,60 €

(IVA esclusa)

15,37 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

220 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità
1 - 9	12,60 €
10 - 99	11,33 €
100 +	10,45 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 348-943
Codice costruttore:: AIMZA75R040M1HXKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	44A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	750V
	Serie	CoolSiC
	Tipo di package	PG-TO247-4
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	52mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	185W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 44A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V
	Serie CoolSiC
	Tipo di package PG-TO247-4
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 52mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 185W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - AIMZA75R040M1HXKSA1

Paese di origine:: CN

Il MOSFET CoolSiC Infineon da 750 V è realizzato sulla base della tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche del materiale TiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.

Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice

Pin sorgente del driver disponibile

Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 52 mΩ Miglioramento, 44 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R040M1HXKSA1

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 52 mΩ Miglioramento, 44 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante AIMZA75R040M1HXKSA1

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Prezzo per quantità

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!