MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 182 mΩ Miglioramento, 16 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IMZA75R140M1HXKSA1

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Codice RS:
349-347
Codice costruttore:
IMZA75R140M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-TO247-4

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

182mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Dissipazione di potenza massima Pd

86W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il dispositivo di potenza G1 CoolSiC Infineon da 750 V si basa sulla tecnologia del carburo di silicio solido di Infineon, sviluppata da oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche uniche dei materiali SiC ad ampia banda interdetta, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. È stato progettato specificamente per le alte temperature e le condizioni operative difficili, consentendo l'implementazione semplificata e conveniente di sistemi con la massima efficienza. Questo MOSFET è perfetto per le applicazioni che richiedono prestazioni robuste e soluzioni ad alta efficienza energetica.

Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

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