MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 62 mΩ Miglioramento, 38 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IMZA65R050M2HXKSA1
- Codice RS:
- 349-338
- Codice costruttore:
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-338
- Codice costruttore:
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 62mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 153W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 62mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 153W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore e facilità d'uso. Questo MOSFET avanzato consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rispondendo alle esigenze sempre crescenti dei moderni sistemi e mercati di potenza. Il dispositivo offre una soluzione potente per ottenere un'efficienza di sistema superiore in varie applicazioni, garantendo prestazioni ottimali in ambienti difficili.
Perdite di commutazione bassissime
Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V
Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare
Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili
La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria