MOSFET Infineon 650 V, 210 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, PG-TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 273-7461
- Codice costruttore:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7461
- Codice costruttore:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOSTMPFD7 | |
| Tipo di package | PG-TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 210mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOSTMPFD7 | ||
Tipo di package PG-TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 210mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon offre la rivoluzionaria tecnologia Cool MOS per i MOSFET di potenza ad alta tensione. È stato progettato secondo il principio di supergiunzione, sperimentato per la prima volta da Infineon Technologies. La nuova Cool MOS PFD7 è una piattaforma ottimizzata per applicazioni sensibili ai costi nei mercati consumer come caricabatterie, adattatori, motori, illuminazione, ecc. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a supergiunzione a commutazione rapida, insieme a un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e a un livello di facilità d'uso all'avanguardia. Questa tecnologia soddisfa i più alti standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di orientarsi verso progetti molto compatti.
Body diode veloce
Perdite estremamente ridotte
Basse perdite di commutazione Eoss
Eccellente comportamento termico
Eccellente robustezza di commutazione
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