MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 51 mΩ Miglioramento, 61 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R039M1HXUMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

20.484,00 €

(IVA esclusa)

24.990,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 25 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +10,242 €20.484,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
284-718
Codice costruttore:
IMT65R039M1HXUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

51mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Dissipazione di potenza massima Pd

263W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET CoolSiC Infineon 650 V G1 è un dispositivo di alimentazione pionieristico che offre prestazioni eccezionali sfruttando le proprietà avanzate della tecnologia al carburo di silicio. Progettato per garantire alta efficienza e affidabilità, questo MOSFET eccelle nelle applicazioni che richiedono un'eccezionale stabilità termica e prestazioni elevate in condizioni difficili. Grazie a un'innovativa struttura dell'ossido di gate e a un comportamento di commutazione superiore, riduce significativamente le perdite a correnti più elevate, garantendo longevità e sicurezza in vari ambienti elettrici. Perfettamente adatto per applicazioni quali sistemi di alimentazione, infrastrutture di ricarica per veicoli elettrici e soluzioni per le energie rinnovabili, il MOSFET CoolSiC rappresenta una soluzione versatile che soddisfa i requisiti più esigenti della moderna elettronica di potenza. Questo dispositivo è la testimonianza di oltre 20 anni di eccellenza ingegneristica e rappresenta una solida base per le soluzioni energetiche di prossima generazione.

La commutazione ottimizzata migliora le prestazioni

Il robusto diodo di corpo garantisce una commutazione affidabile

L'eccellente gestione termica prolunga la durata di vita

Funzionamento efficiente a temperature elevate

Integrazione perfetta con i driver standard

La sorgente Kelvin riduce le perdite di commutazione

Conforme agli standard JEDEC per l'affidabilità

Versatile per una maggiore densità di potenza nei progetti

Link consigliati

Recently viewed