MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 42 mΩ Miglioramento, 142 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R030M1HXUMA1

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Codice RS:
284-715
Codice costruttore:
IMT65R030M1HXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

142A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

294W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET CoolSiC Infineon 650 V G1 è progettato per le moderne esigenze delle applicazioni ad alte prestazioni, offrendo una soluzione robusta in un contenitore compatto. Progettato con la tecnologia all'avanguardia in carburo di silicio solido, questo dispositivo a semiconduttore combina affidabilità ed efficienza eccezionali, il che lo rende ideale per un'ampia gamma di applicazioni come inverter solari, infrastrutture di ricarica per veicoli elettrici e alimentatori ininterrotti. Con un'attenzione particolare alla semplicità e all'economicità, migliora le prestazioni del sistema e garantisce una stabilità termica superiore per gli ambienti più difficili. Questo dispositivo garantisce non solo prestazioni, ma anche una perfetta integrazione in vari progetti, ridefinendo le possibilità di gestione dell'alimentazione.

La commutazione ottimizzata migliora l'efficienza operativa

Il robusto diodo del corpo supporta le applicazioni avanzate

Prestazioni termiche eccezionali in condizioni estreme

La sorgente Kelvin riduce le perdite di commutazione

Elevata capacità antivalanghe per una maggiore durata del sistema

Compatibile con i driver standard per una facile integrazione

Il design compatto aumenta la densità di potenza

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