MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 141 mΩ Miglioramento, 26 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R107M1HXUMA1

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Codice RS:
349-054
Codice costruttore:
IMT65R107M1HXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

141mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

138W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET G1 CoolSiC Infineon da 650 V si basa su oltre 20 anni di tecnologia al carburo di silicio solido sviluppata da Infineon. Sfruttando le caratteristiche uniche dei materiali SiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 650 V offre un'eccezionale combinazione di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. È progettato per le alte temperature e le condizioni operative difficili, il che lo rende ideale per le applicazioni più impegnative. Questo MOSFET consente l'implementazione semplificata ed economica di sistemi con la massima efficienza, rispondendo alle crescenti esigenze della moderna elettronica di potenza.

Comportamento di commutazione ottimizzato alle correnti più elevate

Diodo intrinseco rapido per una commutazione robusta e con basso Qfr

Maggiore capacità di affrontare le scariche disruptive a valanga

Compatibile con i driver standard

La sorgente Kelvin fornisce perdite di commutazione fino a 4 volte inferiori

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