MOSFET Infineon, canale N 650 V, 0.03 Ω Miglioramento, 70 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IGT65R025D2ATMA1
- Codice RS:
- 351-969
- Codice costruttore:
- IGT65R025D2ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 351-969
- Codice costruttore:
- IGT65R025D2ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.03Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 236W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.03Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 236W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie IGT65, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 70 A - IGT65R025D2ATMA1
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per ambienti industriali impegnativi. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è fornito in un pacchetto a montaggio superficiale adatto per schede compatte. Il dispositivo è progettato per la conversione di potenza e i ruoli di commutazione in cui è richiesta un'elevata tolleranza alla tensione e una robusta gestione della corrente continua.
Caratteristiche e vantaggi:
• Resistenza al drenaggio di 650 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Capacità di scarico continuo di 70 A per una gestione prolungata del carico
• Rds(on) di 0.03 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 236 W per la capacità termica
• Carica gate tipica di 11 nC per transizioni di commutazione più veloci
• Valore nominale gate di 10 V compatibile con le tensioni standard del gate drive
• Capacità di scarico continuo di 70 A per una gestione prolungata del carico
• Rds(on) di 0.03 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 236 W per la capacità termica
• Carica gate tipica di 11 nC per transizioni di commutazione più veloci
• Valore nominale gate di 10 V compatibile con le tensioni standard del gate drive
Applicazioni
• Ideale per alimentatori switching industriali e inverter
• Adatto per le fasi di controllo dei motori in sistemi ad alta tensione
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta tensione per la conversione di energia
• Può essere utilizzato per topologie di commutazione rigida nell'elettronica di potenza
• Adatto per la distribuzione di energia per telecomunicazioni e alimentatori ausiliari
• Adatto per le fasi di controllo dei motori in sistemi ad alta tensione
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta tensione per la conversione di energia
• Può essere utilizzato per topologie di commutazione rigida nell'elettronica di potenza
• Adatto per la distribuzione di energia per telecomunicazioni e alimentatori ausiliari
Quale tipo di contenitore viene utilizzato e come influisce sull'assemblaggio della scheda?
Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PG-HSOF-8 che facilita la saldatura a riflusso automatizzata e i layout compatti del circuito stampato, fornendo al contempo più cavi termici ed elettrici.
Quali sono le considerazioni da fare sull'azionamento del gate per un funzionamento affidabile?
Mantenere l'azionamento del gate entro ±10 V e fornire un percorso di ritorno a bassa impedenza per ridurre al minimo i transienti di commutazione e garantire una temporizzazione prevedibile dell'accensione e dello spegnimento.
In che modo l'intervallo di temperatura influisce sulle posizioni di impiego?
L'intervallo di funzionamento nominale da -55 °C a 150 °C consente il posizionamento in contenitori industriali con avviamento a freddo e ad alta temperatura senza ridurre la capacità di commutazione di base.
Quali strategie di gestione termica sono consigliate per il funzionamento continuo?
Utilizzare un'adeguata area di rame o un dissipatore di calore dedicato sotto il contenitore, garantire buone vie termiche del circuito stampato e considerare il flusso d'aria per mantenere le temperature di giunzione entro limiti sicuri.
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