MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.03 Ω Miglioramento, 70 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IGT65R025D2ATMA1

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Codice RS:
351-969
Codice costruttore:
IGT65R025D2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IGT65

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

236W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il CoolGaN di Infineon è un transistor in nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza progettato per la conversione di potenza. Consente una maggiore densità di potenza, supporta la riduzione del costo della distinta base del sistema e facilita la miniaturizzazione dei fattori di forma. Prodotto realizzato con tecnologia a lamina e linee di produzione completamente automatizzate, presenta tolleranze di produzione ridotte e la massima qualità del prodotto. Questo lo rende adatto a un'ampia gamma di applicazioni, dall'elettronica di consumo alle applicazioni industriali.

Transistor in modalità arricchimento

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate e di uscita

Robustezza di commutazione superiore

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