MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.03 Ω Miglioramento, 70 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IGT65R025D2ATMA1

Codice RS:: 351-969
Codice costruttore:: IGT65R025D2ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.03 Ω Miglioramento, 70 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IGT65R025D2ATMA1

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Codice RS:: 351-969
Codice costruttore:: IGT65R025D2ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	70A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PG-HSOF-8
	Serie	IGT65
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.03Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	11nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	236W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	JEDEC for Industrial Applications
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 70A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PG-HSOF-8
	Serie IGT65
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.03Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 236W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni JEDEC for Industrial Applications
	Standard automobilistico No

Datasheet - IGT65R025D2ATMA1

Paese di origine:: MY

Il CoolGaN di Infineon è un transistor in nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza progettato per la conversione di potenza. Consente una maggiore densità di potenza, supporta la riduzione del costo della distinta base del sistema e facilita la miniaturizzazione dei fattori di forma. Prodotto realizzato con tecnologia a lamina e linee di produzione completamente automatizzate, presenta tolleranze di produzione ridotte e la massima qualità del prodotto. Questo lo rende adatto a un'ampia gamma di applicazioni, dall'elettronica di consumo alle applicazioni industriali.

Transistor in modalità arricchimento

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate e di uscita

Robustezza di commutazione superiore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.03 Ω Miglioramento, 70 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IGT65R025D2ATMA1

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