MOSFET di potenza Infineon, canale N 600 V, 16 mΩ Miglioramento, 142 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60R016CM8XTMA1
- Codice RS:
- 349-256
- Codice costruttore:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-256
- Codice costruttore:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 142A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 694W | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 171nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 142A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IPT | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 694W | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 171nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza Infineon serie IPT, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua massima 142 A - IPT60R016CM8XTMA1
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma ambientale ed è fornito in un pacchetto compatto a montaggio superficiale per l'integrazione su schede popolate in cui è richiesta una robusta gestione termica e della corrente.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Rds(on) di 16 mΩ riduce le perdite di conduzione durante i carichi pesanti
• La corrente continua 142 A supporta le fasi di potenza ad alta corrente
• La carica gate tipica di 171 nC consente transizioni gate-drive più rapide
• La dissipazione di potenza massima di 694 W aiuta la pianificazione del margine termico
• La tolleranza del gate di 30 V supporta tensioni di gate drive flessibili
• Rds(on) di 16 mΩ riduce le perdite di conduzione durante i carichi pesanti
• La corrente continua 142 A supporta le fasi di potenza ad alta corrente
• La carica gate tipica di 171 nC consente transizioni gate-drive più rapide
• La dissipazione di potenza massima di 694 W aiuta la pianificazione del margine termico
• La tolleranza del gate di 30 V supporta tensioni di gate drive flessibili
Applicazioni
• Adatto per gli stadi degli inverter per motori industriali
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato con topologie SMPS a commutazione rigida e a risonanza
• Può essere utilizzato per sistemi di trazione e per impieghi gravosi CC-CC
• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione e la commutazione a livello di scheda
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato con topologie SMPS a commutazione rigida e a risonanza
• Può essere utilizzato per sistemi di trazione e per impieghi gravosi CC-CC
• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione e la commutazione a livello di scheda
Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?
È fornito in un contenitore PG-HSOF-8 progettato per il posizionamento a montaggio superficiale per facilitare l'assemblaggio automatizzato e la conduzione termica alla scheda.
Come si comporta a temperature estreme?
Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, supportando applicazioni esposte a ampie variazioni di temperatura.
Quali sono i limiti di tensione gate da rispettare durante la progettazione?
Le tensioni gate-source non devono superare 30 V per evitare lo stress dielettrico gate.
È conforme a qualsiasi standard di collaudo industriale?
È conforme agli standard JEDEC per la qualificazione e la manipolazione dei semiconduttori.
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