MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 180 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60R180CM8XTMA1
- Codice RS:
- 349-259
- Codice costruttore:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-259
- Codice costruttore:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 180mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 119W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 180mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 119W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La piattaforma CoolMOS Infineon di ottava generazione è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio della supergiunzione (SJ) e sperimentata da Infineon Technologies. La serie CoolMOS CM8 da 600 V è il successore del CoolMOS 7. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una bassa tendenza al ringing, l'implementazione di un diodo intrinseco rapido per tutti i prodotti con un'eccezionale robustezza contro l'hard switching e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di commutazione e di conduzione estremamente basse del CM8 rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti.
Adatto a topologie hard e soft switching
Facilità d'uso e rapidità di progettazione grazie alla bassa tendenza al ringing
Gestione termica semplificata grazie alla nostra tecnica avanzata di fissaggio della matrice
Adatto a un'ampia gamma di applicazioni e gamme di potenza
Soluzioni a maggiore densità di potenza grazie all'utilizzo di prodotti con ingombro ridotto
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