MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 40 mΩ Miglioramento, 13 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T040S7XTMA1

Codice RS:: 349-261
Codice costruttore:: IPT60T040S7XTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 40 mΩ Miglioramento, 13 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T040S7XTMA1

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Codice RS:: 349-261
Codice costruttore:: IPT60T040S7XTMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Serie	IPT
	Tipo di package	PG-HSOF-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	40mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.82V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	83nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	245W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Serie IPT
	Tipo di package PG-HSOF-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.82V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 83nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 245W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPT60T040S7XTMA1

Paese di origine:: MY

Il CoolMOS S7 di Infineon vanta i più bassi valori di Rdson per un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo dell'efficienza energetica. Il sensore di temperatura incorporato aumenta l'accuratezza e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione, mantenendo un'implementazione semplice e senza interruzioni. Il dispositivo CoolMOS S7 è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. È ideale per progetti di relè a stato solido, interruttori e raddrizzatori di linea in topologie SMPS e inverter. Il nuovo sensore di temperatura migliora le caratteristiche dell'S7, consentendo il miglior utilizzo possibile del transistor di potenza.

La tecnologia CoolMOS S7 consente di ottenere il più basso RDS(on) con il minimo ingombro

Prestazioni ottimizzate in applicazioni di commutazione a bassa frequenza

Elevata capacità di corrente di impulso

Diagnostica senza soluzione di continuità al sistema più basso

Funzione di rilevamento della temperatura per la protezione e l'utilizzo ottimizzato del dispositivo termico

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 40 mΩ Miglioramento, 13 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T040S7XTMA1

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