MOSFET Infineon, canale N 600 V, 65 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T065S7XTMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

14,17 €

(IVA esclusa)

17,29 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 187,085 €14,17 €
20 - 1986,39 €12,78 €
200 - 9985,89 €11,78 €
1000 - 19985,465 €10,93 €
2000 +4,91 €9,82 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
349-262
Codice costruttore:
IPT60T065S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPT

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Tensione diretta Vf

820mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il CoolMOS S7 di Infineon vanta i più bassi valori di Rdson per un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo dell'efficienza energetica. Il sensore di temperatura incorporato aumenta l'accuratezza e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione, mantenendo un'implementazione semplice e senza interruzioni. Il dispositivo CoolMOS S7 è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. È ideale per progetti di relè a stato solido, interruttori e raddrizzatori di linea in topologie SMPS e inverter. Il nuovo sensore di temperatura migliora le caratteristiche dell'S7, consentendo il miglior utilizzo possibile del transistor di potenza.

La tecnologia CoolMOS S7 consente di ottenere il più basso RDS(on) con il minimo ingombro

Prestazioni ottimizzate in applicazioni di commutazione a bassa frequenza

Elevata capacità di corrente di impulso

Diagnostica senza soluzione di continuità al sistema più basso

Funzione di rilevamento della temperatura per la protezione e l'utilizzo ottimizzato del dispositivo termico

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.